RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2808
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link