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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2628
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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