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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
42
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3135
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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