RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3040
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link