RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
53
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2356
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link