RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
52
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2472
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link