RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
71
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
13.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3308
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link