RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
71
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2660
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link