RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
71
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
9.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2388
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link