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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
71
Rund um -137% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
5300
Rund um 3.17 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
16800
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2318
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Inmos + 256MB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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