RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
71
Rund um -163% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
13.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3296
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link