RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
37
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2734
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link