RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
3575
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link