RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
3617
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link