RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
35
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2767
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link