RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
54
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2313
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link