RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2034
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link