RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,109.3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
60
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,162.7
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,109.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
784
3073
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link