RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
62
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
1808
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM-Vergleiche
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link