RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2339
2672
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link