RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3125
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Guangzhou Zhong Hao Tian Electronic ZFWY8G1866PC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link