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PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
84
Rund um 68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
84
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1486
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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