RAM-Vergleich PNY Electronics PNY 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Gesamtnote

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.4 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.5 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 10600

Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

PNY Electronics PNY 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2274 3692

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns