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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
64
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2205
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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