RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
51
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,832.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,433.3
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,832.2
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
646
2179
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link