RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2001
3460
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link