RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
3409
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link