RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2795
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link