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Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
57
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
10.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1440
2377
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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