RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
52
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
2236
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link