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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
45
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
40
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
1992
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Frequency (Mhz) *
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