RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
70
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
1971
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link