RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2732
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link