RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
2841
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link