RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
34
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2917
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link