RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
48
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
1858
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905316-175.A00LF 2GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link