RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2863
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link