RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
25
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
21.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
21.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
4250
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston HX316C10F/8 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link