RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
25
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
18.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3543
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link