RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3768
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link