RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2891
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link