RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
43
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2302
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link