RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2359
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link