RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3684
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link