RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3573
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link