RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
43
Rund um -139% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
18.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3607
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link