RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2503
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link