RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
43
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3192
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link