RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2581
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link