RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3296
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link